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J-GLOBAL ID:201902257104179753   整理番号:19A2451614

バルクドーピングレベルによるグラフェン/GaAs界面での超高速キャリア動力学のエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Engineering Ultrafast Carrier Dynamics at the Graphene/GaAs Interface by Bulk Doping Level
著者 (13件):
資料名:
巻:号: 19  ページ: e1900580  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2486A  ISSN: 2195-1071  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスにおける最も基本的なプロセスであるキャリア動力学は,材料の特性工学におけるその重要な役割のために大きな注目を集めている。特定の機能を持つデバイスを設計し,それらの性能を最適化するためには,キャリア動力学の探索と制御が不可欠である。しかし,同時超高速時間と超微小空間分解能を有する従来のツールの欠如は,フェムト秒とナノメートルスケールの両方でキャリア動力学の直接観測と操作を妨げた。本研究では,バルクGaAsのドーピングレベルを調整することにより,グラフェン/ヒ化ガリウム(GaAs)界面における超高速キャリア動力学の直接観測と変調を達成した。この成功したキャラクタリゼーションは,超高速ポンププローブ法と組み合わせた先進的なin situ光電子顕微鏡法を用いて行った。GaAsにおけるドーピングレベルの変化は,そのバンド曲がりを変化させ,グラフェン/GaAs界面におけるホットキャリア移動方向を,ほぼ6倍の寿命減少でスイッチすることができることが分かった。本研究は,3Dバルク特性を修正することにより,2D界面における超高速キャリア動力学のエンジニアリングの道を開き,また,高空間分解能を有する超高速物理学の基礎研究のためのプラットフォームを提供した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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非線形光学  ,  光集積回路,集積光学 
タイトルに関連する用語 (5件):
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