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J-GLOBAL ID：201902257170487920   整理番号：19A1113350

電離放射線効果に非感受性の新しい結合電荷バランス終端構造【JST・京大機械翻訳】

A novel combined charge balance termination structure insensitive to ionizing radiation effect

著者 (6件)： Song Limei (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China[1]) ,  Xiao Chao (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China[1]) ,  Zhang Yanfei (Research and Development Department, Zhongke Newmicro Technology Co.,LTD., Beijing, China) ,  Sun Botao (Research and Development Department, Zhongke Newmicro Technology Co.,LTD., Beijing, China) ,  Wang Lixin (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China[1]) ,  Luo Jiajun (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China[1])
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RADECS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィールド制限リングFLRおよび/または等電位フィールドプレートを用いた終端構造に対する電離放射線効果は,20年以上にわたって放射線耐性を達成するために活発に研究されてきた。しかし,電荷平衡終端構造に及ぼす電離放射線効果は研究されておらず,報告されていない。本論文では,イオン化放射に対する電荷平衡終端構造の感度を初めて実験的に同定し,電場酸化物中の放射線誘起酸化物トラップ電荷に起因することを示した。これらの電荷が表面で電位を変え,3Dシミュレーションを用いて電荷平衡終端の破壊電圧に影響することを実証した。三次元シミュレーション結果に基づいて,新しいレール硬化結合電荷平衡終端構造を提案し,最適化した。新しい終端構造は,通常の電荷バランス終端,表面FLRs,およびフィールドプレートによって結合され,電離放射線効果によって誘発された表面電荷の非感受性を改善することができる。新しい不感電荷平衡終端構造を用いた300V超接合MOSFETを作製し,150krad(Si)の全線量で室温でCo-60γ線に曝露した。試験結果は,この終端構造の破壊電圧の劣化が,150krad(Si)までの総線量で1V未満であることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： γ線 ,  最適化 ,  電場 ,  *感受性 ,  *放射線 ,  電位 ,  イオン化 ,  酸化物 ,  MOSFET ,  *電離放射線 ,  *電荷 ,  放射線量
準シソーラス用語： 超接合 ,  絶縁破壊電圧 ,  チャージバランス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電離 ,  放射線効果 ,  感受性 ,  電荷 ,  バランス ,  終端