CoFe/MgO磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗に及ぼすB及びCドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Chen Andy Paul; Burton J. D.; Tsymbal Evgeny Y.; Feng Yuan Ping; Feng Yuan Ping; Chen Jingsheng; Chen Jingsheng

文献

J-GLOBAL ID：201902257174950475 整理番号：19A0554278

CoFe/MgO磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗に及ぼすB及びCドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of B and C doping on tunneling magnetoresistance in CoFe/MgO magnetic tunnel junctions

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Physical Review. B (Physical Review. B)

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巻： 98 号： 4 ページ： 045129 発行年： 2018年
JST資料番号： D0746A ISSN： 2469-9950 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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密度汎関数理論計算を用いて,CoFe/MgO/CoFe磁気トンネル接合(MTJ)におけるホウ素(B)と炭素(C)不純物により形成された支配的欠陥と伝導率とトンネル磁気抵抗(TMR)に及ぼすそれらの影響を調べた。実験に関連するO欠乏条件では,Bは置換欠陥[数式:原文を参照]を形成し,CはCoFe/MgO界面で格子間サイト[数式:原文を参照]を形成することを見出した。CドープMTJはBドープMTJより著しく高いTMRを持つと予測される。これは,[数式:原文を参照]欠陥によるよりも[数式:原文を参照]欠陥によってより強く抑制される多数のスピン[数式:原文を参照]-対称バンドに関連する界面状態密度に起因する。著者らの結果は,炭素がMTJ製造のためのドーパントとしてホウ素の実行可能な代替物として役立つことを示す。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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