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J-GLOBAL ID:201902257179517176   整理番号:19A1888446

金表面間のギャップを架橋する分子ワイヤとSERS強度に及ぼすそれらの影響【JST・京大機械翻訳】

Molecular Wires Bridging Gaps between Gold Surfaces and Their Influence on SERS Intensities
著者 (6件):
資料名:
巻: 121  号: 38  ページ: 20937-20946  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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オリゴフェニレンイミン(OPI)ファミリーの分子ワイヤを金平坦表面と金ナノロッド間の架橋ギャップとして用い,(AuFlat|OPI|AuNR)のような分子接合系を形成した。異なるギャップサイズをもつ系をOPI-1pの2.2nmからOPI-13pの9.9nm(nはフェニレン基の数に等しい)に合成し,1078cm~1v(CS)と1168cm~1β(CH)のSERSバンドの強度を各ギャップ長について得た。著者らの結果は,OPI(ギャップ)サイズの関数として1078cm-1v(CS)と1168cm-1β(CH)のバンドに対して異常な挙動を示した。これらの結果を扱うために,系(AuFlat|Gap|AuNR)に対する離散双極子近似(DDA)法による電磁場シミュレーションを行った。それにもかかわらず,785nmでの励起に対する大きなギャップサイズをもつ(AuFlat|OPI|AuNR)に対して観測された高SERS強度は,分子ワイヤの電子特性に強い依存性があり,プラズモン結合の電磁寄与を超えることを示した。実験とシミュレーション結果は,電磁(双極子-画像相互作用と表面プラズモン共鳴)と分子特性の両方がSERS強度挙動に寄与することを示した。さらに,SERS強度の減少をもたらす分子ワイヤの長さは,OPI分子ワイヤに対してトンネリングからホッピング伝導への遷移が起こると報告されている長さと一致することが注目されている。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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コロイド化学一般  ,  固体プラズマ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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