文献

J-GLOBAL ID：201902257218605353   整理番号：19A1917135

スズ系酸化物における欠陥の「低温不動態化」のための新しいルート【JST・京大機械翻訳】

New Route for “Cold-Passivation” of Defects in Tin-Based Oxides

著者 (14件)： Rucavado Esteban (Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Grauzinyte Migle (Department of Physics, Universitaet Basel, Switzerland) ,  Flores-Livas Jose A. (Department of Physics, Universitaet Basel, Switzerland) ,  Jeangros Quentin (Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Jeangros Quentin (Department of Physics, Universitaet Basel, Switzerland) ,  Landucci Federica (Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Landucci Federica (Interdisciplinary Centre for Electron Microscopy, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Lee Yeonbae (Department of Materials Science and Engineering, University of California Berkeley, California, United States) ,  Koida Takashi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Goedecker Stefan (Department of Physics, Universitaet Basel, Switzerland) ,  Hessler-Wyser Aiecha (Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Ballif Christophe (Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Morales-Masis Monica (Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Morales-Masis Monica (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, The Netherlands)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 122  号： 31  ページ： 17612-17620  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性酸化物(TCO)は,光と電気を結合する技術において不可欠である。SnベースのTCOについては,酸素欠陥と低配位Sn原子が伝導帯端の下に広がった状態密度をもたらす。浅い状態は電気伝導率に必要な自由キャリアを与えるが,バンドギャップ内の深い状態は透明性に有害である。酸化亜鉛(ZTO)において,高温でのアニーリングによる欠陥不動態化により,全体的な光電子特性を改善することができる。しかし,そのような処理に関連する高い熱収支は多くの応用とは矛盾している。ここでは,二酸化ケイ素(SiO_2)による共スパッタリングSnベースTCOに依存する代替の低温不動態化法を実証した。代表例として非晶質ZTOと非晶質/多結晶二酸化スズ(SnO_2)を用いて,SiO_2寄与が2倍であることを光電子特性化と密度汎関数理論シミュレーションにより実証した。最初に,SiO_2からの酸素は,SnO_2とZTOにおける深い欠陥を形成する酸素欠陥を不動態化する。第二に,残留する深い欠陥中心のイオン化エネルギーは,シリコン原子の存在によって低下した。注目すべきことに,これらのイオン化状態はサブギャップ吸収率に寄与しないことが分かった。この簡単な不動態化スキームは,電気伝導率に影響することなく,光学特性を著しく改善し,SnベースTCOにおける既知の透明導電率トレードオフを克服する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化亜鉛 ,  多結晶 ,  バンドギャップ ,  伝導バンド ,  キャラクタリゼーション ,  *低温 ,  焼なまし ,  イオン化 ,  密度汎関数法 ,  電気伝導率 ,  酸素 ,  *スズ ,  *不動態化 ,  非晶質
準シソーラス用語： 酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： スズ ,  酸化物 ,  欠陥 ,  低温 ,  不動態化