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J-GLOBAL ID:201902257244578521   整理番号:19A2652527

高速光応答を有する二次元合金化モリブデンすずジスルフィド単分子層【JST・京大機械翻訳】

Two-Dimensional Alloying Molybdenum Tin Disulfide Monolayers with Fast Photoresponse
著者 (9件):
資料名:
巻: 11  号: 42  ページ: 39077-39087  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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単分子層,二次元(2D)遷移金属ジカルコゲニド(TMD)中の元素合金化は,ユニークな光電子特性をもたらすそれらの電子構造を調節する前例のない能力を約束する。MOS_2単分子層ベース光検出器は典型的に高い光応答性を示すが,低い応答時間を被る。ここでは,高品質で大サイズのMo_1-xSn_xS_2(x<0.5)合金単分子層を製造するために,カスタム化化学蒸着(CVD)の相乗効果と一般塩(NaCl)の効果に基づくMoS_2単分子層中のSn合金化の新しいアプローチを開発した。組成差は異なる成長挙動をもたらした。Mo支配合金(x<0.5)は均一で大きなサイズ(最大100μm)の三角形単分子層を示したが,Sn支配合金(x>0.5)は多層結晶粒を示した。Mo_1-xSn_xS_2(x<0.5)に基づく光検出器とフォトトランジスタは,最大応答性12mA/Wと最小応答時間20msを示し,ほとんどの報告されているMoS_2ベース光検出器より速い。本研究は,TMDベース光検出器の光電子性能を改善するための精密2D合金工学に対する新しい展望を提供した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  ,  測光と光検出器一般  ,  光導電素子  ,  電気化学反応 

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