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J-GLOBAL ID：201902257245540345   整理番号：19A0992468

半導体自己集合量子ドットにおける基本固有寿命【JST・京大機械翻訳】

Fundamental Intrinsic Lifetimes in Semiconductor Self-Assembled Quantum Dots

著者 (14件)： Xiong Wen (Department of Physics, Chongqing University, Chongqing 401331, China) ,  Xu Xiulai (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Luo Jun-Wei (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Luo Jun-Wei (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China) ,  Luo Jun-Wei (College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Gong Ming (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China) ,  Gong Ming (CAS Key Laboratory of Quantum Information, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Gong Ming (CAS Center For Excellence in Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Li Shu-Shen (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Li Shu-Shen (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China) ,  Li Shu-Shen (College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Guo Guang-Can (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China) ,  Guo Guang-Can (CAS Key Laboratory of Quantum Information, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Guo Guang-Can (CAS Center For Excellence in Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 10  号： 4  ページ： 044009  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己集合量子ドット(QD)は,量子情報技術に不可欠なオンデマンド最大もつれ光子対の実現のための理想的なプラットフォームを提供する。二つの中間励起子状態がエネルギーで区別できないとき,双励起子カスケード過程は自然に最大もつれ光子対を生じる。しかし,QDの対称性が低いために,二つの明るい状態は現実的な実験で異なる既約表現に属し,「微細構造分裂」(FSS)と呼ばれるエネルギー差は均一広がりよりもはるかに大きく,「wh道」情報を消去することにより古典的に相関する光子対のみを生じる。本研究では,これらの2つの状態が異なる表現に属するので,それらの寿命は,「励起子寿命非対称性」と呼ばれるわずかに異なるべきであることを示した。広く研究されたFSSとは対照的に,この寿命非対称性の研究は文献に欠けている。ここでは,自己集合QDにおける励起子寿命非対称性の研究を行い,QDの測定可能な品質から間接的にこの非対称性を推論する理論を提示した。さらに,固有寿命とそれらの非対称性がQDのより基本的な量であることを明らかにし,それは外因性寿命非対称性の上限を決定する。寿命非対称性,FSS,偏光角の間の厳密な関係も導出した。これらの関係は,分極の程度を調べることにより実験で測定され,外部応力下での進展も測定できる。著者らの発見はQDの光学特性の対称性の完全な記述を提供し,QDの理解を深めるための重要な基礎を与えることができる。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *自己集合 ,  *半導体 ,  分極 ,  エネルギーギャップ ,  微細構造 ,  励起子分子 ,  品質 ,  既約表現 ,  *量子ドット ,  カスケード過程 ,  対称性 ,  非対称性 ,  励起子
準シソーラス用語： 光子対 ,  オンデマンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己集合 ,  量子ドット ,  固有 ,  寿命