文献

J-GLOBAL ID：201902257256685553   整理番号：19A1888963

二次元Ti_2NO_2の張力調整電子および磁気スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Tension-Tailored Electronic and Magnetic Switching of 2D Ti₂NO₂

著者 (4件)： Chen Wenzhou (Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, P. R. China) ,  Li Hai-Feng (Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, P. R. China) ,  Shi Xingqiang (Department of Physics, South University of Science and Technology of China, China) ,  Pan Hui (Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, P. R. China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 46  ページ： 25729-25735  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可変同調可能な電子的および磁気的性質を有する二次元(2D)ナノ材料は,多機能デバイスにおけるそれらの用途に対して有望である。本研究では,引張を適用することによって達成された2D Ti_2NO_2単分子層の電子的および磁気的遷移に関する第一原理研究を提示した。2D Ti_2NO_2は,張力があるレベルまで増加すると強磁性半金属から反強磁性半導体への転移を経験することを示した。電荷再分布は,結晶場分裂の抑制による結合長の延長により起こることを見出した。さらに,e_gとt_2g軌道間の電荷移動がエネルギー準位のシフトをもたらし,Fermi準位近くのギャップを開き,電子遷移をもたらすことを示した。半導体的性質は超交換結合を支持し,強磁性状態から反強磁性状態への磁気転移をもたらす。調整可能な電子的および磁気的性質を有する2D Ti_2NO_2単分子層は,スピントロニクスやセンサなどのナノデバイスへの応用を見出すことが期待される。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  単分子層 ,  *磁気 ,  Fermi準位 ,  反強磁性 ,  半金属 ,  *張力 ,  *二次元 ,  磁気転移 ,  強磁性 ,  スピントロニクス ,  第一原理 ,  センサ ,  ナノ材料
準シソーラス用語： ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 張力調整 ,  電子 ,  磁気スイッチング