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J-GLOBAL ID:201902257445070395   整理番号:19A0424125

太陽電池応用のための電極としてのITO薄膜の形態,光学的および電気的性質に及ぼす低線量ガンマ線照射の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of a Low Dose of Gamma Radiation on the Morphology, and the Optical and the Electrical Properties of an ITO Thin Film as an Electrode for Solar Cell Applications
著者 (5件):
資料名:
巻: 72  号:ページ: 561-569  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0357A  ISSN: 0374-4884  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,透明酸化インジウムスズ(ITO)薄膜の光学的および電気的性質の改質に及ぼす形態効果を通して誘起されたγ線照射の影響に焦点を当てた。調製した試料を,Cs-137放射性同位体源から3.90Gy,7.81Gy,11.7Gy,15.62Gyの線量で室温で低ガンマ線に曝露した。照射前後の表面構造を分析した。原子間力顕微鏡法を照射の前と後の2つの試料について行い,形態の変化を調べた。S~z,S~v,S~cおよびS~qのような粗さパラメータを,γ線照射後の多孔質膜の表面に対して見出した。照射の線量が増加すると,膜の光吸収は増加し,光学エネルギーギャップの値は3.83eVから3.73eVに変化し,一方,屈折率はSwanipol法を用いて決定したように,1.9から2.05に変化した。電気シート抵抗,接触抵抗,電流移動長などの電気的性質を4点プローブと伝送線路法(TLM)を用いて測定した。決定した電気シート抵抗,接触抵抗,および電流移動長は,γ線照射前に14.54Ω,0.235Ω,および0.04mm,γ線照射後に17.61Ω,0.1316Ω,および0.0025mmであった。照射による接触抵抗値の減少は電流損失の減少をもたらしたが,シート抵抗の増加は膜を通しての電流損失を引き起こした。Copyright 2018 The Korean Physical Society Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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