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J-GLOBAL ID：201902257529615665   整理番号：19A1416173

鉄と炭素ドーピングによるGaN層における漏れ電流とFermi準位シフト【JST・京大機械翻訳】

Leakage currents and Fermi-level shifts in GaN layers upon iron and carbon-doping

著者 (9件)： Fariza A. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany) ,  Lesnik A. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany) ,  Neugebauer S. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany) ,  Wieneke M. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany) ,  Hennig J. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany) ,  Blaesing J. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany) ,  Witte H. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany) ,  Dadgar A. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany) ,  Strittmatter A. (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 2  ページ： 025704-025704-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半絶縁性GaNは,寄生導電性チャネルから素子領域を分離するための横方向高周波と高パワー電子デバイスの必要条件である。半絶縁性のGaN,Fe,およびCを達成するために一般的に使用されるドーパントは,Fermi準位が(Fe)または以下(C)の中間ギャップ位置のどちらかに位置するので,GaN層の明確な特性を引き起こす。本研究では,有機金属気相エピタクシーにおけるGaNの前駆体に基づくドーピングを,層中のドーパント濃度を制御するために,同じ成長条件で用いた。電気力顕微鏡を用いて,ドーパント濃度に依存するコバルト金属プローブチップに関するFe及びCドープ試料の接触電位を調べた。一方,Feドープ試料では,接触ポテンシャルの符号は一定で,正から負の接触ポテンシャル値への変化が高炭素濃度で観測され,中間ギャップ位置以下のFermi準位のシフトを示した。垂直輸送測定において,4.6×10~18cm-3のドーパント濃度をもつCドープGaN層は室温で5桁低い暗電流を示し,類似ドーパント濃度をもつFeドープ試料よりも著しく低い温度依存性を示した。したがって,前駆体ベースの炭素ドーピングは,半絶縁性GaNを達成するための優れたドーピング技術である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  導電性 ,  *ドーピング ,  前駆体 ,  チャネル ,  *窒化ガリウム ,  暗電流 ,  *Fermi準位 ,  必要条件 ,  *鉄 ,  ドーパント ,  MOCVD ,  コバルト ,  *漏れ電流
準シソーラス用語： ミッドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 鉄 ,  炭素ドーピング ,  GaN ,  漏れ電流 ,  Fermi準位 ,  シフト