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J-GLOBAL ID：201902257584114441   整理番号：19A1414946

n型Si中の隣接酸素原子による炭素-水素欠陥【JST・京大機械翻訳】

Carbon-hydrogen defects with a neighboring oxygen atom in n-type Si

著者 (4件)： Gwozdz K. (Department of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Stuebner R. (Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, Germany) ,  Kolkovsky Vl. (Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, Germany) ,  Weber J. (Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 3  ページ： 032102-032102-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温での湿式化学エッチングによるSi中の中性炭素-酸素錯体の電気的活性化について報告した。n型Czochralski Siの深準位過渡分光法により,E65とE75の二つの深い準位を観測した。E65とE75の活性化エンタルピーをE_C-0.11eV(E65)とE_C-0.13eV(E75)として得た。それらの発光速度の電場依存性は両準位を単一アクセプタ状態に関係づけた。深さプロフィルの解析から,準位は1個の水素原子のみを含む2つの異なる欠陥に属すると結論した。隣接CとSi原子間の結合中心位置に水素を有するCH_1BC欠陥が置換炭素に対する第二近接位置の格子間酸素により乱される配置を提案した。高い酸素濃度の試料におけるCH_1BC濃度の著しい減少は,Si試料中の低濃度の置換炭素の定量のためのこの欠陥の使用を制限する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *水素 ,  深準位過渡分光法 ,  錯体 ,  深さプロフィル ,  ウェットエッチング ,  *ケイ素 ,  深い準位 ,  *炭素 ,  アクセプタ ,  発光 ,  *酸素
準シソーラス用語： 酸素濃度 ,  水素原子 ,  電場依存性 ,  活性化エンタルピー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  酸素原子 ,  炭素 ,  水素 ,  欠陥