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J-GLOBAL ID：201902257709161564   整理番号：19A2301090

相変化材料の界面駆動相転移【JST・京大機械翻訳】

Interface-Driven Phase Transition of Phase-Change Material

著者 (4件)： Choi Minho (Semiconductor Materials and Device Laboratory, Korea Institute of Science and Technology, Korea) ,  Choi Heechae (Institute of Inorganic Chemistry, University of Cologne, Germany) ,  Ahn Jinho (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Korea) ,  Kim Yong Tae (Semiconductor Materials and Device Laboratory, Korea Institute of Science and Technology, Korea)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 19  号： 4  ページ： 2123-2130  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 操作された相変化材料の相転移を制御するためには,相転移過程の特定の理解が不可欠である。相転移に及ぼすドーパントの影響を理解するために,Bi_5.5(In_3SbTe_2)_94.5(Bi-IST)の相転移過程を,中間InSbとInTe相および結晶化Bi-ISTに含まれる界面,バルク,エントロピー,およびGibbs自由エネルギーに関して定量的に研究した。第一段階ではInSbを結晶化した。InとBiは非晶質相に存在する。第二段階では,結晶性InTeの不均一核形成がInSb上で起こる。結晶性InTeのこの核形成に対して計算されたエネルギー障壁は,Bi原子の5.5原子%の界面反応により,Biのない場合と比較して1.5倍減少した。第3段階では,Bi原子がSbサイトをより高い界面エネルギーで置換するので,結晶性InSbとInTeはBi-ISTに結晶化する。Bi-ISTのGibbs自由エネルギーの差は-1.4×10~5eVであり,ISTの-1.1×10~5eVより低い。これは,温度と界面エネルギーの増加によるエントロピーの差がBi原子の添加により増加するためである。この低いGibbs自由エネルギーは,ISTのそれと比較して,低い転移温度でのBi-ISTの安定相転移の駆動力になる。これらの相転移過程により,エンタルピー,エントロピーと温度変化の寄与,界面エネルギーを定量的に解析した。さらに,新しい相変化材料を設計するための種々の方法の一つを推奨した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ビスマス ,  Gibbs自由エネルギー ,  結晶化 ,  アンチモン化インジウム ,  核形成 ,  *界面 ,  エントロピー ,  駆動力 ,  転移温度 ,  エンタルピー ,  *相転移 ,  ドーパント ,  表面エネルギー ,  インジウム ,  結晶度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化材料 ,  界面 ,  相転移