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J-GLOBAL ID：201902257730392515   整理番号：19A1414038

ステップフロー成長の実現による緑色InGaN量子井戸の量子効率の顕著な増加【JST・京大機械翻訳】

Significant increase of quantum efficiency of green InGaN quantum well by realizing step-flow growth

著者 (11件)： Tian Aiqin (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Liu Jianping (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Zhang Liqun (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Jiang Lingrong (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Ikeda Masao (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuming (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Li Deyao (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Wen Pengyan (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Cheng Yang (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Fan Xiaowang (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Yang Hui (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 11  ページ： 112102-112102-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 緑色発光InGaN量子井戸(QW)層に対して二次元(2D)島状形態が広く報告されているが,ステップ流形態は緑色InGaN QW層では得られていない。本論文では,青色InGaN QWとの比較研究により,緑色InGaN QWの2D島形態の原因を初めて調べた。低成長温度での吸着原子の短い拡散長は,緑色InGaN QWに対する2D島形態の原因であることが分かった。c面GaN基板のミスカット角を0.20°から0.48°に増加させることにより,緑色InGaN QWのステップフロー成長を得た。これは原子テラス幅を減少させる。ステップフロー形態をもつ緑色InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)は,2D島状形態をもつMQWよりも,鋭い井戸/障壁界面を有することが分かった。ステップ流形態をもつ緑色InGaN/GaN MQWの内部量子効率は,6.4kW/cm2の励起パワー密度で,2D島状形態をもつ対応するMQWのそれの2倍である。さらに,ステップフロー形態を持つ緑色InGaN/GaN MQWの発光線幅は大幅に減少した。結果として,大きなミスカット角度をもつ緑色レーザダイオードの閾値電流は大幅に減少した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  界面 ,  拡散距離 ,  発光 ,  二次元 ,  多重量子井戸 ,  励起 ,  半導体レーザ ,  ステップ流 ,  *量子効率 ,  基板
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  テラス ,  ミスカット ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： フロー ,  成長 ,  緑色 ,  InGaN ,  量子井戸 ,  量子効率