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J-GLOBAL ID：201902257736818590   整理番号：19A1369732

両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価

著者 (13件)： 前田拓也 (京大 大学院) ,  成田哲生 (豊田中研) ,  上田博之 (豊田中研) ,  兼近将一 (豊田中研) ,  上杉勉 (豊田中研) ,  加地徹 (名大 未来材料・システム研) ,  木本恒暢 (京大 大学院) ,  堀田昌宏 (京大 大学院) ,  堀田昌宏 (名大 未来材料・システム研) ,  堀田昌宏 (名大 院) ,  須田淳 (京大 大学院) ,  須田淳 (名大 未来材料・システム研) ,  須田淳 (名大 院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.9p-M121-1  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 近年,GaN基板上GaN縦型パワーデバイスは次世代パワーデバイスとして注目を集めている.既に複数の試作報告が存在しており,優れた特性を示しているが,素子端部における電界集中を完全に緩和することは難しく,平行平板破壊電界(Epp)が絶縁破壊電...【本文一部表示】

シソーラス用語： なだれ電流 ,  *窒化ガリウム ,  *PN接合 ,  メサ構造 ,  *接合ダイオード ,  絶縁破壊 ,  平行平面 ,  空乏層 ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  濃度依存性
準シソーラス用語： アバランシェ降伏 ,  破壊電圧 ,  平行平板

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： メサ構造 ,  GaN ,  p-n接合 ,  ダイオード ,  破壊 ,  平行平板 ,  電界 ,  評価