文献

J-GLOBAL ID：201902257843002768   整理番号：19A0553617

半導体-超伝導体構造におけるAndreev反射増強【JST・京大機械翻訳】

Andreev reflection enhancement in semiconductor-superconductor structures

著者 (4件)： Bouscher Shlomi (Department of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Winik Roni (Department of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Winik Roni (Solid State Institute, Technion, Haifa, 32000, Israel) ,  Hayat Alex (Department of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 97  号： 5  ページ： 054512  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 任意のポテンシャル障壁と空間依存超伝導秩序パラメータをもつ広範囲の半導体-超伝導体構造をモデル化するための理論的アプローチを開発した。Schottky障壁形状の結果として伝導率スペクトルの非対称性を実証した。さらに,Andreev反射過程は,適切な障壁配置による共鳴トンネリングにより著しく増強され,素子の寄与成分としてSchottky障壁を組み込むことができることを示した。さらに,共鳴トンネリングが超格子構造においても達成できることを示した。これらの理論的に実証されたモデル化アプローチと共に,超伝導オプトエレクトロニック素子を含む半導体-超伝導体構造へのより効率的なCooper対注入を可能にした。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  *半導体 ,  非対称性 ,  *超伝導体 ,  超格子 ,  *超伝導 ,  秩序パラメータ ,  共鳴トンネル効果 ,  Cooper対 ,  *Andreev反射 ,  モデリング ,  Schottky障壁 ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (2件)： Andreev反射 ,  増強