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J-GLOBAL ID：201902257845259961   整理番号：19A1414505

ランダム半導性単層カーボンナノチューブネットワークの電界効果移動度の抽出:方法の批判的比較【JST・京大機械翻訳】

Extracting the field-effect mobilities of random semiconducting single-walled carbon nanotube networks: A critical comparison of methods

著者 (4件)： Schiessl Stefan P. (Institute for Physical Chemistry, Universitaet Heidelberg, Im Neuenheimer Feld 253, D-69120 Heidelberg, Germany) ,  Rother Marcel (Institute for Physical Chemistry, Universitaet Heidelberg, Im Neuenheimer Feld 253, D-69120 Heidelberg, Germany) ,  Luettgens Jan (Institute for Physical Chemistry, Universitaet Heidelberg, Im Neuenheimer Feld 253, D-69120 Heidelberg, Germany) ,  Zaumseil Jana (Institute for Physical Chemistry, Universitaet Heidelberg, Im Neuenheimer Feld 253, D-69120 Heidelberg, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 19  ページ： 193301-193301-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果移動度は単層カーボンナノチューブ(SWNTs)のランダムネットワークのような半導体に対する重要な性能指数である。しかし,それらのネットワーク特性と量子キャパシタンスのために,電界効果トランジスタの標準モデルは,修正なしでは適用できない。いくつかの異なる方法を用いて,しばしば非常に異なる結果を持つ移動度を決定した。低い(≒6μm~-1)から密に充填された準単分子層(≒26μm~-1)にわたる異なる高分子ソートの半導体SWNTネットワーク密度を持つ電界効果トランジスタを作製し,最大オンコンダクタンス0.24μSμm-1で,電界効果移動度を評価するために四つの異なる方法を比較した。素子配置とキャリア蓄積に関する各方法の限界と必要条件を実証した。能動素子上で測定した静電容量を考慮した技術が最も信頼できる移動度値を与えることを見出した。最後に,実験結果をランダム抵抗ネットワークモデルと比較した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 性能指数 ,  FET【トランジスタ】 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  ソーティング ,  静電容量 ,  *移動度 ,  単分子層 ,  *半導性 ,  必要条件 ,  半導体 ,  *ネットワーク
準シソーラス用語： ネットワークモデル ,  キャリア蓄積 ,  ランダムネットワーク ,  *電界効果移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導性 ,  単層カーボンナノチューブ ,  電界効果移動度