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J-GLOBAL ID：201902257862022086   整理番号：19A0558348

二軸歪による[数式:原文を参照]中の電子欠陥型のアクセス可能スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Accessible switching of electronic defect type in [Formula : see text] via biaxial strain

著者 (7件)： Chi Yen-Ting (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Youssef Mostafa (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Youssef Mostafa (Department of Mechanical Engineering, The American University in Cairo, AUC Avenue, P.O. Box 74, New Cairo 11835, Egypt) ,  Sun Lixin (Department of Nuclear Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Van Vliet Krystyn J. (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Yildiz Bilge (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Yildiz Bilge (Department of Nuclear Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 2  号： 5  ページ： 055801  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弾性歪は半導体中の自由電子キャリアの移動度を変化させるために広く使われているが,弾性格子歪と電子欠陥の電荷局在化の程度の間の予測関係はまだ開発されていない。ここでは,薄膜電子デバイスと不揮発性メモリのためのモデル機能性酸化物としてプロトタイプのペロブスカイトである[数式:原文を参照]を検討した。密度汎関数理論(DFT)と準調和近似(QHA)計算を組み合わせることにより,有限温度での電子欠陥の安定性に及ぼす二軸歪の影響を評価した。二軸歪と温度の関数として,この材料中の自由電子と小さな電子ポーラロンに対する支配図を構築した。[数式:原文を参照]中の二軸引張歪は小さなポーラロンを安定化し,熱的に活性化され,より遅い電子輸送をもたらし,[数式:原文を参照]に関する以前の実験的観察と一致し,[数式:原文を参照]の静水圧応力への応答の以前の理論的評価とは異なることを見出した。これらの発見は,二軸歪[数式:原文を参照]薄膜に対する以前の原子論的シミュレーションと伝導率実験の間の明らかな矛盾も解決した。著者らの計算手法は他の機能性酸化物に拡張でき,[数式:原文を参照]の場合には,歪工学が電子欠陥のタイプと濃度を薄膜中の電子輸送を調節するための条件に対する具体的な指針を与える。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  密度汎関数法 ,  酸化物 ,  弾性 ,  計算 ,  格子歪 ,  ポーラロン ,  *スイッチング ,  半導体 ,  *二軸 ,  薄膜
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  引張歪 ,  局在化 ,  *二軸ひずみ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二軸歪 ,  数式 ,  参照 ,  電子 ,  欠陥 ,  アクセス ,  スイッチング