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J-GLOBAL ID：201902257877530259   整理番号：19A1200387

バルクInGaZnO_4の単結晶成長とその固有輸送特性の解析【JST・京大機械翻訳】

Single crystal growth of bulk InGaZnO₄ and analysis of its intrinsic transport properties

著者 (9件)： Tanaka Yusuke (Department of Applied Physics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo 125-8585, Japan. [e-mail]) ,  Wada Kazuhiro ,  Kobayashi Yuki ,  Fujii Takenori ,  Denholme Saleem J. ,  Sekine Ryotaro ,  Kase Naoki ,  Kimizuka Noboru ,  Miyakawa Nobuaki
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 21  号： 19  ページ： 2985-2993  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクIn-Ga-Zn-O単結晶の成長のための信頼できる方法の確立は,この材料に特有の基本的で特異な特性を調べるだけでなく,新しい機能デバイスの開発にも重要である。InGaZnO_4の大きなバルク単結晶を,高圧での乾燥空気の流れの下で,光浮遊帯法を用いて成長させることに成功した。化学量論的InGaZnO_4単結晶を,格子定数がa=3.2990(4)Åとc=26.018(3)ÅのZnリッチ組成の供給棒を用いて0.9MPaのガス圧で得た。成長したままの単結晶は青い色を示したが,酸素中でのアニーリング後に透明になった。ポストアニーリングにより,キャリア密度,ab面における伝導率および室温における移動度は,それぞれ~10~20~10~17cm-3,~2000~~1Scm-1,および~100~10cm~2/(Vs)の範囲で変化した。さらに,c軸に沿った伝導率はInGaZnO_4単結晶におけるab面のそれよりはるかに低く,異方性はキャリア密度の減少と共に増加することを見出した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  酸素 ,  焼なまし ,  格子定数 ,  *単結晶 ,  移動度 ,  乾燥空気 ,  キャリア密度 ,  浮遊 ,  高圧 ,  機能素子 ,  化学量論
準シソーラス用語： 伝導率 ,  ポストアニーリング ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  単結晶成長 ,  固有 ,  輸送特性 ,  解析