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J-GLOBAL ID：201902258007009128   整理番号：19A2461828

電着による水溶液からのGaN膜の低温合成【JST・京大機械翻訳】

Low-temperature synthesis of GaN film from aqueous solution by electrodeposition

著者 (4件)： Kang Jaewook (Department of Materials Science & Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Mitsuhashi Takuaki (Department of Materials Science & Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Kuroda Kensuke (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Okido Masazumi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Japan)
資料名： Journal of Applied Electrochemistry  (Journal of Applied Electrochemistry)
巻： 49  号： 9  ページ： 871-881  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0393B  ISSN： 0021-891X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)膜をn型Si(111)基板上に低コストで低温の電気化学蒸着法を用いて合成した。GaN源として用いた水溶液中のGa3+,NH4+,及びNO3-イオンの電気化学的挙動をサイクリックボルタンメトリーにより確認した。走査電子顕微鏡画像は,3.5mAcm-2以上の電流密度で堆積した膜がSi基板上に板状表面形態を持つことを示した。エネルギー分散X線分光法の結果は,これらの板状膜中に酸素,ガリウム,および窒素が共存することを示した。X線回折パターンにおいて,3.5mAcm-2の電流密度で24時間合成した試料は,酸化ガリウムと六方晶GaN相のピークを示した。光ルミネセンス分析により,GaNのバンドギャップエネルギーに対応する3.2eVのピークと室温での2.5eV付近の広いピークを明らかにした。Copyright 2019 Springer Nature B.V. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ガリウム ,  酸化ガリウム ,  *水溶液 ,  電流密度 ,  *低温 ,  六方晶系 ,  酸素 ,  窒素 ,  *電着 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気化学堆積 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  GaN ,  光ルミネセンス ,  低コスト技術

分類 (2件)： 電気化学的操作・装置一般  (XE02010I) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電着 ,  水溶液 ,  GaN ,  低温合成