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J-GLOBAL ID：201902258067412918   整理番号：19A2366588

CdS/GOおよびCdsse/GO多層膜における化学結合と電子構造【JST・京大機械翻訳】

Chemical Bonding and Electronic Structure in CdS/GO and CdSSe/GO Multilayer Films

著者 (6件)： Colina-Ruiz Roberto A. (Departamento de Fisica Aplicada, CINVESTAV Unidad Merida, Yucatan, Mexico) ,  Tolentino-Hernandez Rafael V. (Instituto Politecnico Nacional, Materiales y Tecnologias para Energia, Salud y Medio Ambiente (GESMAT), CICATA Altamira) ,  Guarneros-Aguilar Cesia (CONACYT- Instituto Politecnico Nacional, Materiales y Tecnologias para Energia, Salud y Medio Ambiente (GESMAT), CICATA Altamira) ,  Mustre de Leon Jose (Departamento de Fisica Aplicada, CINVESTAV Unidad Merida, Yucatan, Mexico) ,  Espinosa-Faller Francisco J. (Escuela de Ingenieria, Universidad Marista de Merida, Yucatan, Mexico) ,  Caballero-Briones Felipe (Instituto Politecnico Nacional, Materiales y Tecnologias para Energia, Salud y Medio Ambiente (GESMAT), CICATA Altamira)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 123  号： 22  ページ： 13918-13924  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化グラフェン,硫化カドミウムの多層膜の局所原子構造をX線吸収微細構造分光法により分析した。膜は逐次電気泳動堆積と逐次イオン層吸着とFドープSnO_2基板上への反応により調製した。得られた膜を,走査電子顕微鏡,エネルギー分散分光法,Raman分光法,UV-vis分光法,およびステップポテンシャル光電流応答によって特性化した。透過率データ解析から,2.13から2.3eVの範囲の直接バンドギャップを推定した。光電流測定から,CdSとCdSSeの膜は多層薄膜ハイブリッド太陽電池の活性層としての利用に適した光起電力特性を持つと結論した。X線吸収近端構造スペクトルは,CdS/GOとCdSSe/GO試料の間の振幅の差を示し,S.Exted X線吸収微細構造スペクトルの周りの局所電子構造の変化がCdS/CdSSeナノ粒子とグラフェン酸化物層の間の直接C-S結合を示した。CdS/GOとCdSSe/GO電解質界面のバンドダイアグラムを提案した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  *多層膜 ,  *硫化カドミウム ,  *電子構造 ,  ドーピング ,  X線吸収 ,  イオン ,  微細構造 ,  界面 ,  吸着 ,  透過率 ,  キャラクタリゼーション ,  光起電力 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdS ,  多層膜 ,  化学結合 ,  電子構造