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J-GLOBAL ID：201902258351458724   整理番号：19A0524544

4つのGaNスイッチの応用と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Applications and characterization of four quadrant GaN switch

著者 (9件)： Raheja Utkarsh (North Carolina State University, Raleigh, North Carolina) ,  Gohil Ghanshyamsinh (North Carolina State University, Raleigh, North Carolina) ,  Han Kijeong (North Carolina State University, Raleigh, North Carolina) ,  Acharya Sayan (North Carolina State University, Raleigh, North Carolina) ,  Baliga B. Jayant (North Carolina State University, Raleigh, North Carolina) ,  Battacharya Subhashish (North Carolina State University, Raleigh, North Carolina) ,  Labreque Michelle (Transphorm, Inc., Goleta, CA, USA) ,  Smith Peter (Transphorm, Inc., Goleta, CA, USA) ,  Lal Rakesh (Transphorm, Inc., Goleta, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 1967-1975  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 双方向スイッチは,4象限スイッチ(FQS)とも呼ばれ,サイクロコンバータ,マトリックスコンバータなどの多くの電力変換回路における基本的な構成要素であり,双方向スイッチを実現する従来のアプローチは,一方向制御可能なブロッキングデバイス(IGBTまたはMOSFET)とダイオードの組合せを含む。この手法では,電流の任意方向に対する複数のデバイスを通して電流が流れる。これはより高い伝導損失をもたらす。さらに,多重デバイスの使用はシステムサイズを増加させる。ダイサイズと半導体損失は,単一ダイを用いた双方向スイッチを実現することにより低減できる。さらなる改良は,窒化ガリウム(GaN)半導体を用いることにより達成できる。本論文では,単一ダイを用いて作られた4象限GaNスイッチの特性化について論じた。静的特性化を行い,オン状態抵抗を出力特性と共に得た。FQSを特性化するために二重パルス試験装置を構築し,ターンオンとターンオフのスイッチングエネルギーを得るために実験を行った。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： パルス ,  IGBT ,  *スイッチ ,  半導体 ,  ダイオード ,  ブロッキング ,  *窒化ガリウム ,  静特性 ,  *キャラクタリゼーション ,  ターンオン ,  ターンオフ ,  電流 ,  多重化
準シソーラス用語： オン状態 ,  サイクロコンバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  応用 ,  特性評価