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J-GLOBAL ID：201902258566080949   整理番号：19A1334065

MOS側二次元効果を含むプレスパックIGBTの実験結果に基づく電気熱機械モデル【JST・京大機械翻訳】

An Electro-thermo-mechanical Model Basing on Experimental Results for Press-pack IGBT Including MOS Side Two-Dimensional Effects

著者 (5件)： Gu Miaosong (North China Electric Power University, Beijing, Changping District, China) ,  Cui Xiang (North China Electric Power University, Beijing, Changping District, China) ,  Tang Xinling (State Grid Smart Grid Research Institute, Beijing, Changping District, China) ,  Peng Cheng (North China Electric Power University, Beijing, Changping District, China) ,  Zhao Zhibin (North China Electric Power University, Beijing, Changping District, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： APEC  ページ： 502-507  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プレスパックIGBT(PP-IGBT)のすべての部品を電気的および機械的に接触させるための大きなクランプ力のために,圧電抵抗効果は無視できず,回路シミュレーションに適した電気-熱機械IGBTモデルはPP-IGBT設計と応用に必要である。本論文では,IGBTスイッチング特性に及ぼす機械的クランプ力の影響を,多数の実験に基づいて研究した。MOS側二次元効果と異方性キャリア移動度を考慮した改良Hefner IGBTモデルを提案した。計算結果を実験結果と比較することにより,提案したモデルの精度を検証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *IGBT ,  キャリア移動度 ,  異方性 ,  回路シミュレーション ,  *力学モデル
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOS ,  次元効果 ,  プレス ,  IGBT ,  実験結果 ,  機械モデル