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J-GLOBAL ID：201902258767065077   整理番号：19A2400127

伝送線測定を用いた二段階硫化NbドープMOS_2膜のトップおよびエッジ接触抵抗率の実験的決定【JST・京大機械翻訳】

Experimentally Determining the Top and Edge Contact Resistivities of Two-Step Sulfurization Nb-Doped MoS₂ Films Using the Transmission Line Measurement

著者 (5件)： Chung Yun-Yan (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Chi-Feng (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lin Chao-Ting (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Ho Yen-Teng (International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chien Chao-Hsin (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 40  号： 10  ページ： 1662-1665  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,伝送線路測定構造を用いて得られた実験結果に基づいて,金属-MoS_2接触の上部(垂直)およびエッジ(水平)抵抗率を決定した。サファイア基板上にNbドープMoS_2膜を形成するための新しい二段階硫化法を行った。エッジ接触抵抗率ρ_C_エッジは,上部接触抵抗率ρ_C_topよりもほぼ2桁低かった。著者らの発見は,金属-二次元材料接触のエッジとトップ接触抵抗を正確に決定するための簡単で効果的な方法を強調する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *伝送線路 ,  *接触抵抗 ,  *硫化 ,  *ドーピング ,  *電気抵抗率
準シソーラス用語： 二次元材料 ,  サファイア基板 ,  *比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (9件)： 伝送線 ,  段階 ,  硫化 ,  Nb ,  ドープ ,  トップ ,  エッジ ,  接触抵抗率 ,  実験