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J-GLOBAL ID：201902258797043294   整理番号：19A0511975

外挿スケーリング表現:限定データから完全IC(b,t,ε)データ行列を外挿するための適合方程式【JST・京大機械翻訳】

Extrapolative Scaling Expression: A Fitting Equation for Extrapolating Full Ic (B,T,ε) Data Matrixes From Limited Data

著者 (7件)： Ekin Jack (National Institute of Standards and Technology, Boulder, CO, USA) ,  Cheggour Najib (University of Colorado, Boulder, CO, USA) ,  Goodrich Loren (University of Colorado, Boulder, CO, USA) ,  Splett Jolene (National Institute of Standards and Technology, Boulder, CO, USA) ,  Bordini Bernardo (CERN, Geneva 23, Switzerland) ,  Richter David (CERN, Geneva 23, Switzerland) ,  Bottura Luca (CERN, Geneva 23, Switzerland)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.8400607.1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数千のNb_3Sn臨界電流(I_c)測定のスケーリング解析を用いて,磁場(B),温度(T)および機械的歪(ε)に対するI_cの完全三次元依存性を得るために,(または内挿)限られたデータセットを迅速かつ正確に外挿できるフィッティング方程式(ESE)を導出した。非外挿フィッティング方程式とは異なり,ESE関係はマスターピン止め力曲線からの基本的な生スケーリングデータにより完全に決定される。結果は,ESEによる外挿誤差が典型的なI_c測定誤差に近づくことを示した。スケーリング表現は簡単でロバストであり,導体特性化と磁石設計のための簡単な外挿能力を提供する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ピン止め ,  磁石 ,  測定誤差 ,  ロバスト性 ,  臨界電流 ,  磁場 ,  導体 ,  内挿法 ,  キャラクタリゼーション ,  *外挿法 ,  三次元

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 外挿 ,  スケーリング ,  表現 ,  IC ,  行列 ,  方程式