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J-GLOBAL ID：201902258924301647   整理番号：19A2501821

高性能準ホモ接合薄膜太陽電池に向けたマグネトロンスパッタSb_2Se_3ベース薄膜【JST・京大機械翻訳】

Magnetron sputtered Sb₂Se₃-based thin films towards high performance quasi-homojunction thin film solar cells

著者 (13件)： Chen Shuo (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Chen Shuo (School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, China) ,  Chen Shuo (Univ Rennes, CNRS, ISCR (Institut des Sciences Chimiques de Rennes) UMR 6226, F-35000, Rennes, France) ,  Zheng Zhuanghao (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Zheng Zhuanghao (Univ Rennes, CNRS, ISCR (Institut des Sciences Chimiques de Rennes) UMR 6226, F-35000, Rennes, France) ,  Cathelinaud Michel (School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, China) ,  Ma Hongli (Univ Rennes, CNRS, ISCR (Institut des Sciences Chimiques de Rennes) UMR 6226, F-35000, Rennes, France) ,  Qiao Xvsheng (School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, China) ,  Su Zhenghua (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Fan Ping (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Liang Guangxing (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Fan Xianping (School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, China) ,  Zhang Xianghua (Univ Rennes, CNRS, ISCR (Institut des Sciences Chimiques de Rennes) UMR 6226, F-35000, Rennes, France)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 203  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sb_2Se_3は,その材料の利点と優れた光電子特性により,環境に優しく費用効率のよい薄膜光起電力の有望な候補である。しかし,それは本質的に低い電気伝導率を有し,満足できないデバイス性能と限られた応用範囲をもたらす。ここでは,電気伝導率誘起Sb_2Se_3ベースの光起電力性能改善の効果的な戦略を実証した。Sb_2Se_3,Sb_2Se_3.3およびSb_2(Se_0.9I_0.1)_3の化学組成を有する3つのSb_2Se_3ベースのターゲットを,高温融解技術を用いて最初に調製した。次に,高品質薄膜を,有効なラジオ周波数(RF)マグネトロンスパッタリングプロセスを通して得ることができた。新しいSb_2Se_3準ホモ接合薄膜太陽電池を初めて作製し,最大電力変換効率は既に非常に興味深い2.65%に達した。独特の準ホモ接合素子構造と有利な全真空調製プロセスの組合せ特徴は,薄膜光起電力応用に対する魅力的な可能性をさらに実証した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  高温 ,  素子構造 ,  光起電力 ,  光電子 ,  *薄膜 ,  化学組成 ,  高品質 ,  *薄膜太陽電池
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  *ホモ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Sb_2Se_3 ,  電気伝導率 ,  マグネトロンスパッタリング ,  準ホモ接合 ,  薄膜太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホモ接合 ,  薄膜太陽電池 ,  マグネトロンスパッタ ,  薄膜