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J-GLOBAL ID:201902259046483194   整理番号:19A0704477

4G通信システム用バラクタダイオードを用いた逆クラスJ電力増幅器の設計【JST・京大機械翻訳】

A Design of Inverse Class-J Power Amplifier using Varactor Diode for 4G Communication Systems
著者 (7件):
資料名:
巻: 2018  号: HNICEM  ページ: 1-6  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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その効率を向上させるために,入力整合ネットワーク上にバラクタダイオードを用いてクラスJ電力増幅器を設計した。設計した電力増幅器の効率を高めるために,逆モードで動作させた。この回路の設計,シミュレーション,およびレイアウトの生成を,KeyeのAdvance Design System Toolを用いて実行した。GaNデバイスはGaAsデバイスよりも優れた性能を持つことが知られているが,GaAs FETはGaNデバイスと比較してより信頼性があるので,設計された電力増幅器のための能動デバイスとしてまだ使用されている。出力24~27dBm,利得7~10dB,効率50~5S%の既存のクラスJ電力増幅器と比較して,可変ダイオードを用いた逆モードにおけるクラスJ電力増幅器のこの設計は,それぞれ30.14dBm,8dB,90.84%の高出力,利得,効率を示した。2GHzの基本周波数に対する一つの一次高調波平衡シミュレーションを用いて,得られた基本出力パワーは30,475dBm,変換器電力利得6.175,PAEは26.943,利得圧縮は12dBであった。設計された電力増幅器は,Monolithicマイクロ波集積回路(MMIC)上に作製される。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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増幅回路  ,  AD・DA変換回路  ,  図形・画像処理一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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