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J-GLOBAL ID：201902259063418964   整理番号：19A1415492

キャリア移動度を低下させないグラフェンの電荷移動ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Charge transfer doping of graphene without degrading carrier mobility

著者 (3件)： Lu Haichang (Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, United Kingdom) ,  Guo Yuzheng (College of Engineering, Swansea University, Swansea SA1 8EN, United Kingdom) ,  Robertson John (Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, United Kingdom)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 22  ページ： 224304-224304-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数計算を用いて,グラフェン上に吸収された分子による電荷移動ドーピング機構を解析した。研究した典型的なドーパントはAuCl_3,FeCl_3,SbF_5,HNO_3,MoO_3,Cs_2O,O_2,およびOHである。Fermi準位シフトはドーパントの電子親和性またはイオン化ポテンシャルと相関した。ドーパントが基底面のπ結合を中断し,キャリア散乱を引き起こし,キャリア移動度を劣化させるので,ドーパントが直接化学吸着結合を形成するかどうかに特別な注意を払った。高いか低い電気陰性度を持つものでも,ほとんどの種はパッカリングを引き起こさない。対照的に,-OHのような反応性ラジカルは基底面のパッカリングを引き起こし,移動度を低下させるsp3サイトを生成する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ラジカル ,  反応性 ,  ドーパント ,  *電荷移動 ,  *ドーピング ,  化学吸着 ,  *キャリア移動度 ,  *グラフェン ,  Fermi準位 ,  *移動度 ,  キャリア散乱 ,  イオン化ポテンシャル ,  電子親和力
準シソーラス用語： π結合 ,  密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： キャリア移動度 ,  グラフェン ,  電荷移動 ,  ドーピング