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J-GLOBAL ID：201902259086993353   整理番号：19A1374459

ミストCVD法によるn型およびp型ZnO薄膜作製への挑戦

著者 (13件)： 西美咲 (高知工科大) ,  LIU Li (高知工科大) ,  佐藤翔太 (高知工科大) ,  RUTTHONGJAN Phimolphan (高知工科大) ,  坂本雅仁 (高知工科大) ,  上田真理子 (高知工科大) ,  安岡龍哉 (高知工科大) ,  長谷川諒 (高知工科大) ,  田頭侑貴 (高知工科大) ,  尾崎珠子 (高知工科大) ,  DANG Giang T. (総研) ,  川原村敏幸 (高知工科大) ,  川原村敏幸 (総研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-S011-5  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 近年、金属酸化物が窒化物や炭化物に比べ電気的耐性が強く、電子デバイスとして他材料よりも優れた特性を発揮できるのではないかと注目されている。我々の研究グループではZnOに着目しこれまで高品質な薄膜の作製に取り組んできた。また,同時に機能薄膜の...【本文一部表示】

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *薄膜 ,  ガリウム ,  リチウム ,  ドーピング ,  X線回折 ,  電気的性質 ,  *ミストCVD ,  *ZnOフィルム
準シソーラス用語： *ミストCVD法 ,  *ZnO薄膜 ,  XRD分析 ,  電気的特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ミストCVD法 ,  ZnO薄膜 ,  作製