文献

J-GLOBAL ID：201902259094893651   整理番号：19A2619748

THz-TDSEによるイオン注入した4H-SiCの電気特性評価

著者 (8件)： 佐藤希一 (立命館大) ,  藤井高志 (立命館大) ,  藤井高志 (日邦プレシジョン) ,  荒木努 (立命館大) ,  毛利真一郎 (立命館大) ,  石地耕太朗 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  岩本敏志 (日邦プレシジョン) ,  杉江隆一 (東レリサーチセ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20p-E311-10  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 我々のグループではこれまでTHz-時間領域分光エリプソメトリー(以下、THz-TDSE)を用いて4H-SiCの高濃度Pイオン注入層について非接触・非破壊で電気特性評価が可能であることを報告してきた[1]。本研究では、実用デバイスで使用される...【本文一部表示】

シソーラス用語： *スペクトル ,  *偏光解析法 ,  イオン注入 ,  炭化ケイ素 ,  *キャリア密度 ,  *キャリア移動度 ,  *テラヘルツ波スペクトル
準シソーラス用語： *分光エリプソメトリ ,  4H-SiC

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  4H-SiC ,  電気特性 ,  評価