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J-GLOBAL ID：201902259154621946   整理番号：19A1414143

正バイアスストレス下での高安定性非晶質亜鉛スズ酸窒化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Highly stable amorphous zinc tin oxynitride thin film transistors under positive bias stress

著者 (4件)： Niang K. M. (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom) ,  Bayer B. C. (Faculty of Physics, University of Vienna, Boltzmanngasse 5, A-1090 Vienna, Austria) ,  Meyer J. C. (Faculty of Physics, University of Vienna, Boltzmanngasse 5, A-1090 Vienna, Austria) ,  Flewitt A. J. (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 12  ページ： 122109-122109-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正バイアス応力(PBS)下での非晶質亜鉛錫窒化物薄膜トランジスタ(a-ZTON TFT)の安定性を調べた。薄膜を遠隔プラズマ反応性スパッタリングにより蒸着し,空気中300°Cで1時間アニールした後,膜は透過型電子顕微鏡により非常に非晶質であることを確認した。典型的なa-ZTON TFTは2.5Vのしきい値電圧,3.3cm~2V~-1s-1の電界効果移動度,0.55Vdec-1のサブ閾値勾配,10~6以上のスイッチング比を示した。熱化エネルギー解析を用いて,PBS下の閾値電圧シフトを解析した。0.91eVまでの欠陥変換に対する最大エネルギー障壁が見出され,これは以前に報告された非晶質インジウムガリウム亜鉛オキシドおよび非晶質亜鉛すず酸化物TFTに対する~0.75eVエネルギー障壁のそれよりも著しく大きい。非晶質酸化物TFT上のこれらの窒化物TFTの改善された安定性は,窒素による酸素空格子点の不動態化によるより安定でない酸素空格子点の除去によって説明される。非晶質酸化物半導体TFTにおける10~7s-1と比較して,a-ZTON TFTにおける10~8~10~9s-1の高い脱出周波数は,バンド尾部における強いキャリア局在化をもたらす非晶質膜の高い均一性に起因した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒素 ,  不動態化 ,  *窒化物 ,  プラズマ ,  *亜鉛 ,  *薄膜 ,  焼なまし ,  *非晶質 ,  *薄膜トランジスタ ,  スイッチング ,  *バイアス ,  *スズ
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  エネルギー障壁 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアス ,  ストレス ,  安定性 ,  非晶質 ,  亜鉛 ,  スズ ,  酸窒化物 ,  薄膜トランジスタ