N,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジンとポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸塩/ポリ(ビニルアルコール)二層積層構造に基づくバイポーラ抵抗スイッチング素子【JST・京大機械翻訳】

Khan Muhammad Umair; Hassan Gul; Raza Muhammad Asim; Bae Jinho

文献

J-GLOBAL ID：201902259352413617 整理番号：19A0427937

N,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジンとポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸塩/ポリ(ビニルアルコール)二層積層構造に基づくバイポーラ抵抗スイッチング素子【JST・京大機械翻訳】

Bipolar resistive switching device based on N,N′-bis(3-methylphenyl)-N,N′-diphenylbenzidine and poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)/poly(vinyl alcohol) bilayer stacked structure

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 124 号： 10 ページ： 1-11 発行年： 2018年
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

著者らは,N,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジン(TPD)とポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホナート)/ポリ(ビニルアルコール(PEDOTPSS/PVOH)複合材料に基づく新しい二層抵抗スイッチング素子を提案した。全印刷技術により酸化インジウムスズ(ITO)被覆ポリエチレンテレフタレート(PET)基板上にTPDと(PEDOT:PSSPSS/PVOH)の二層構造を作製した。ここでは,ITOは底部電極として作用し,上部電極は銀(Ag)エポキシを用いてパターン化される。作製した素子は,97.23kΩの高い抵抗状態(HRS)と0.58Vの読み出し電圧において,3.38kΩの低抵抗状態(LRS)を有し,それは,~28.7のR_off/R_on抵抗比を達成した。提案した装置は,300以上の耐久サイクルと10~4秒以上の保持時間に対して安定性を維持した。抵抗スイッチング挙動を保証するために,提案した抵抗メモリ素子を電気的および機械的に試験した。適切な製造に適合するために,FESEMを表面形態と断面に用いた。結果は,提案した素子が将来の印刷抵抗スイッチング素子に使用できることを示唆した。Copyright 2018 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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発光素子 , 有機化合物のルミネセンス , 有機化合物の薄膜

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