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J-GLOBAL ID：201902259444375940   整理番号：19A2852205

ナノシリコンにおけるフォノン輸送の解析

著者 (2件)： 堀琢磨 (東大) ,  塩見淳一郎 (東大)
資料名： 日本熱電学会誌  (Journal of the Thermoelectrics Society of Japan)
巻： 14  号： 1  ページ： 17-22  発行年： 2017年08月28日 
JST資料番号： F2331A  ISSN： 1349-4279  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・ナノ構造化熱電材料の熱伝導解析を目的としたボルツマン輸送方程式によるフォノン輸送シミュレーションの手法を紹介し,ナノシリコンを対象とした解析応用例を解説。
・複雑な境界条件となる本課題ではボルツマン輸送方程式にモンテカルロ法を採用し,フォノンの平均自由行程計算にはレイトレーシング法を使用。
・ナノ多結晶体として単純立方構造とボロノイ図利用複雑系を用い,熱伝導率に及ぼす粒径分布の影響をシミュレートし,単純立方近似による熱伝導率見積もりの有効性を確認。
・リソグラフィにより数10nmの孔を設けた二次元ナノポーラス体シリコンの熱伝導率に及ぼす孔径と孔配列の影響をシミュレートし,測定結果を概ね再現可能なことを確認。

シソーラス用語： *輸送現象 ,  *フォノン ,  熱電材料 ,  *Boltzmann方程式 ,  計算機シミュレーション ,  モンテカルロ法 ,  平均自由行程 ,  結晶格子 ,  Voronoi図 ,  *熱伝導率 ,  粒度分布 ,  多孔性 ,  ナノ材料 ,  立方晶系 ,  光線追跡 ,  ナノポーラス ,  *フォノン輸送 ,  単純立方格子 ,  伝導伝熱 ,  ナノポーラス材料 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： 熱伝導 ,  ナノポーラス体

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

引用文献 (41件)：

• Kremer, R. K., Graf, K., Cardona, M., Devyatykh, G. G., Gusev, A. V., Gibin, A. M., Inyushkin, A., Taldenkov, A., Pohl, H. J.: Solid State Commun. 131, 499 (2004).
• Bux, S. K., Blair, R. G., Gogna, P. K., Lee, H., Chen, G., Dresselhaus, M. S., Kaner, R. B., Fleurial, J.-P.: Adv. Funct. Mater. 19, 2445 (2009).
• Miura, A., Zhou, S., Nozaki, T., Shiomi, J.: ACS Appl. Mater. Interfaces 7, 13484 (2015).
• Boukai, A. I., Bunimovich, Y., Tahir-Kheli, J., Yu, J. K., Goddard, W. A., Heath, J. R.: Nature 451, 168 (2008).
• Hochbaum, A. I., Chen, R., Delgado, R. D., Liang, W., Garnett, E. C., Najarian, M., Majumdar, A., Yang, P.: Nature 451, 163 (2008).

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  フォノン輸送 ,  解析