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J-GLOBAL ID：201902259574411468   整理番号：19A0798619

SnSe薄膜の熱電応答に及ぼす基板の平面配向の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of the planar orientation of the substrate on thermoelectric response of SnSe thin films

著者 (3件)： Saini Shrikant (Nanostructured Materials Research Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Mele Paolo (Shibaura Institute of Technology, SIT Research Laboratories, Tokyo, Japan) ,  Tiwari Ashutosh (Nanostructured Materials Research Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 129  ページ： 347-353  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着により成長させたr-,a-,c-面サファイア基板上のSnSe薄膜の300K~800Kの温度範囲における熱電性能を報告した。XRD,TEM,SEMおよびXPSのような最新のキャラクタリゼーション技術のいくつかの状態を用いて薄膜を完全に特性化した。これらの膜の熱伝導率を3ω法を用いて室温で測定した。基板の平面配向はSnSe薄膜の熱電性能に非常に大きく影響することが分かった。r面基板上に成長させたSnSe薄膜は0.35W/mの最低熱伝導率を示した。300KでK;最高の力率とZT値は1.96μW/cmであった。800Kにおいて,それぞれK2と0.45であった。SnSe薄膜に対するこれらの結果は,基底破壊であり,効率的な薄膜熱電モジュールに導く可能性がある。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 性能指数 ,  キャラクタリゼーション ,  *基板 ,  熱電流 ,  基底 ,  力率 ,  薄膜成長 ,  X線回折 ,  熱伝導率 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 3ω法 ,  温度範囲 ,  サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SnSe薄膜 ,  熱電気 ,  熱伝導率 ,  3オメガ ,  性能指数

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  応答 ,  配向