文献

J-GLOBAL ID：201902259574487520   整理番号：19A1604629

二重障壁ゲート分離溝を持つ新しい増強モードAlGaN/GaN HFET【JST・京大機械翻訳】

A Novel Enhancement-Mode AlGaN/GaN HFET with Double-Barrier Gates-Separating Groove

著者 (5件)： Fu Xingchang (Joint International Research Laboratory of Information Display and Visualization, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Lv Yuanjie (Joint International Research Laboratory of Information Display and Visualization, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhang Lijiang (Joint International Research Laboratory of Information Display and Visualization, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Li Xianjie (Joint International Research Laboratory of Information Display and Visualization, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhang Tong (Joint International Research Laboratory of Information Display and Visualization, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： EDSSC  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ドライエッチングにより実現された三つのゲートの中に二つのブロック障壁が存在する新しいエンハンスモードAlGaN/GaN二重障壁ゲート-分離溝ヘテロ構造電界効果トランジスタ(DB-GSG HFET)を提案した。ドレイン電圧に及ぼすドレイン側ブロック障壁の遮蔽効果のために,ソース側ブロック障壁はDBGSG HFETにおけるドレイン電圧によってほとんど影響を受けなかった。結果として,DB-GSG HFETの電気的特性は,二重ゲート間にただ一つの単一ブロック障壁を持つゲート分離溝(GSG)HFETと比較して,明らかに改善された。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *ドライエッチング ,  電気的性質
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  遮蔽効果 ,  ドレイン電圧 ,  ヘテロ構造 ,  *HFET ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 障壁 ,  ゲート ,  分離溝 ,  増強 ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET