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J-GLOBAL ID:201902259639652665   整理番号:19A1376465

TEM-STMホルダーを用いたシリコンナノワイヤの作製

著者 (2件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.12a-PB3-8  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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1.背景 シリコンナノワイヤは細くなると表面効果が顕著に表れるため、バルク結晶とは異なる電気伝導特性を示すと考えられている。シリコンはバルクとしては半導体であるが、清浄な表面ではダングリングボンドのために金属的な電気伝導特性を示すことが知ら...【本文一部表示】
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分類 (2件):
分類
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半導体結晶の電気伝導  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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