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J-GLOBAL ID:201902260041034158   整理番号:19A0511569

シリコン膜ベースのマルチピクセルホットElectronボロメータ受信機の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of a Silicon Membrane-Based Multipixel Hot Electron Bolometer Receiver
著者 (7件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: ROMBUNNO.2300605.1-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0177A  ISSN: 1051-8223  CODEN: ITASE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコン膜技術を用いて作製したマルチピクセルホット電子ボロメータ(HEB)受信機の開発について報告した。受信機は,単一チップ上に製作された4つのHEBミキサの2×2アレイから構成されている。HEBミクサチップはシリコンオンインシュレータ(SOI)基板上に堆積した超伝導NbN薄膜に基づいている。SOI基板のデバイス層とハンドリング層の厚さはそれぞれ20と300μmである。素子層の厚さは,1.35THzでシリコン中の4分の1波に対応するように選択した。HEBミキサは,モノリシック穴あけ平滑壁ホーンアレイにより給電された円形導波路に結合するために設計された蝶タイヤアンテナ構造と一体化されている。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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無線通信一般  ,  移動通信 
タイトルに関連する用語 (4件):
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