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J-GLOBAL ID:201902260057426188   整理番号:19A0863533

コバルト基板上のグラフェンのプラズマ増強化学蒸着成長のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of plasma-enhanced chemical vapor deposition growth of graphene on cobalt substrates
著者 (4件):
資料名:
巻: 93  ページ: 84-95  発行年: 2019年 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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2つの相補的モデリングアプローチ(1Dと2D)を開発し,コバルト基板上のPECVDグラフェン形成の温度依存成長速度論を説明した。15種のガス種,43種のガス反応,10種の表面化学種および34種の表面反応から成る気相および表面反応機構を含むことにより,種々のプロセス条件に対してガス温度および化学種濃度を予測した。反応器中のガス種モル分率と表面被覆率に影響する成長温度,マイクロ波出力およびメタン流量の影響を評価した。数値結果は,水素原子がマイクロ波プラズマ系におけるグラフェン成長において重要な役割を果たすことを明確に示した。次に,コバルト基板上のグラフェンの成長に関する洞察を与える境界層を通してのガス拡散による反応物の輸送に導く基本的な機構を理解するために,全体的な感度解析を行った。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 
物質索引 (1件):
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