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J-GLOBAL ID：201902260115933082   整理番号：19A0923247

InGaN/GaN MQW発光ダイオードの二波長発光における電子ブロッキング層の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of the electron blocking layer in dual-wavelength emission of InGaN/GaN MQW light-emitting diodes

著者 (4件)： Hasan Rifat Md. Rakibul (Department of EEE, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna, Bangladesh) ,  Islam Md. Rafiqul (Department of EEE, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna, Bangladesh) ,  Kaysir Md. Rejvi (Department of EEE, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna, Bangladesh) ,  Hasan Khan Md. Sakib (Department of EEE, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna, Bangladesh)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ECCE  ページ： 1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III族窒化物半導体に基づく発光ダイオード(LED)は,その独特の光学的および電気的性質により照明産業を完全に変換し,より高い効率と輝度をもたらす。しかし,電子漏れ,貧弱な正孔注入,および効率低下は,低い電力変換効率をもたらすInGaN/GaN LEDの電気的および光学的性質に著しく影響する。これらの問題は,従来のLEDにElectronブロック層(EBL)を導入することにより効果的に最小化できる。本研究の目的は,異なるAl組成(x)を持つ二波長InGaN/GaN LEDに及ぼすEBL層(すなわち,Al_xGa_l-xN)の効果を調べることである。AlxGal-xNの異なる組成を用いて,LEDの電気的および光学的性質を研究し,APSYSシミュレーションプログラムを用いて,それらの最適設計パラメータを見出した。シミュレーション結果は,EBLのAlの組成と量子井戸の特性がInGaN/GaN LEDの光学的および電気的性質に著しい影響を及ぼすことを示唆した。EBLの徐々に増加する組成(x=0から0.13まで)は,素子の電子漏れを著しく減少させるので,LEDからの大きな出力パワーを示す。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *波長 ,  量子井戸 ,  光学的性質 ,  *発光ダイオード ,  *発光 ,  輝度 ,  アルミニウム ,  電気的性質 ,  シミュレーション ,  照明
準シソーラス用語： シミュレーションプログラム ,  電力変換効率 ,  性能劣化 ,  正孔注入 ,  窒化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  生体計測  (EL03020C)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  MQW ,  発光ダイオード ,  波長 ,  電子ブロッキング層