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J-GLOBAL ID:201902260191643574   整理番号:19A1413696

シリコンナノビームにおけるフォノン伝導【JST・京大機械翻訳】

Phonon conduction in silicon nanobeams
著者 (10件):
資料名:
巻: 110  号: 21  ページ: 213102-213102-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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薄いシリコン膜における熱輸送に関する広範な研究にもかかわらず,ナノエレクトロニクス(FinFET),ナノ電気機械システム,ナノフォトニクスなどの多くの応用で一般的に用いられる単結晶矩形断面ナノビームの熱伝導率を研究する研究はほとんどない。ここでは,~78nmの厚さと~65nm,170nm,270nm,470nm,および970nmの幅のシリコンナノビームの熱伝導率に関する実験データを報告する。実験データは,ab initio計算から得られたバルク平均自由行程と速度論理論から導いた抑制関数の組合せを用いた熱伝導率モデルの予測と良く一致した(~9%以内)。本研究では,熱輸送に及ぼすナノビームアスペクト比の影響を定量化し,熱輸送の研究における薄膜とビーム間を区別する基準を確立した。78nmx65nmナノビームの熱伝導率は~32Wm~-1K-1で,78nm厚膜のそれよりも約2倍小さい。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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比熱・熱伝導一般  ,  非金属のその他の熱的性質 
タイトルに関連する用語 (4件):
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