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J-GLOBAL ID：201902260326632356   整理番号：19A1369797

短チャネルトップゲート有機トランジスタの電界効果移動度に対する接触抵抗の影響

著者 (9件)： 田津原汐音 (大阪府大) ,  饗庭智也 (大阪府大) ,  永瀬隆 (大阪府大) ,  永瀬隆 (大阪府大 分子エレクトロニックデバイス研) ,  小林隆史 (大阪府大) ,  小林隆史 (大阪府大 分子エレクトロニックデバイス研) ,  貞光雄一 (日本化薬) ,  内藤裕義 (大阪府大) ,  内藤裕義 (大阪府大 分子エレクトロニックデバイス研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.9p-PA2-3  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに塗布型有機電界効果トランジスタ(OFET)の短チャネル領域での実効移動度の改善は実用化に向けた重要な課題である。これまでに我々は、両端にドデシル側鎖を有するC12-BTBTを混合溶媒を用いてスピンコートすることで、トップゲートO...【本文一部表示】

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  チャネル ,  素子構造 ,  接触抵抗 ,  *キャリア移動度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電場効果 ,  有機材料 ,  *有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  硫黄複素環化合物 ,  チオフェン類 ,  *電界効果移動度 ,  有機薄膜
準シソーラス用語： トップゲート構造 ,  *有機トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 短チャネル ,  トップゲート ,  有機トランジスタ ,  電界効果移動度 ,  接触抵抗