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J-GLOBAL ID:201902260354578434   整理番号:19A0658490

オリゴシリルゲルマン前駆体からのゲルマニウムナノワイヤの迅速な低温合成【JST・京大機械翻訳】

Rapid, Low-Temperature Synthesis of Germanium Nanowires from Oligosilylgermane Precursors
著者 (16件):
資料名:
巻: 29  号: 10  ページ: 4351-4360  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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弱いGe-H結合を有する新しいオリゴシリルゲルマン化合物を,180~380°Cの温度範囲にわたり,インジウム(In)ナノ粒子を種付け剤として用いて,溶液-液体-固体(SLS)機構によりゲルマニウム(Ge)ナノワイヤの迅速合成の前駆体として用いた。低い成長温度でも,5~10分の反応期間にわたり,ミリグラム量のGeナノワイヤを合成できた。反応環境へのGe(0)の放出速度は,前駆体のタイプ,合成温度,およびトリ-n-オクチルホスフィンオキシド(TOPO)のような酸化剤の存在または欠如を変えることによって調整できる。エネルギー分散X線分析は,前駆体からのシリコン原子がGeナノワイヤの構造に組み込まれていないことを示した。InとGeの両方がLiによる可逆的合金化を容易にするので,これらのナノワイヤを用いて作製したLiイオン電池アノードは,比容量,すなわち>1000mAhg(-1)で効率的にサイクルした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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無機化合物一般及び元素  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (4件):
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