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J-GLOBAL ID：201902260634389779   整理番号：19A1171206

次世代強誘電体磁壁メモリ 原理と構造

Next-generation ferroelectric domain-wall memories: principle and architecture

著者 (2件)： JIANG An Quan (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Yan (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： NPG Asia Materials (Web)  (NPG Asia Materials (Web))
巻： 11  号： Jan  ページ： WEB ONLY  発行年： 2019年01月 
JST資料番号： U0883A  ISSN： 1884-4057  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・次世代強誘電体磁壁メモリの作動機能と構造について紹介。
・絶縁強誘電体中に発生する消去可能な帯電壁は双極状態の読出しに使用可能。
・伝導帯電壁の面外操作は,わずかな印加電圧で双曲分極状態の読み出しが可能だが,速い読み出し回路の駆動に必要である長期の読み取り電流は不十分。
・対照的に,メモリセルの表面に起こる帯電ドメインの面内操作は,増高した壁電流を供給する強い読み取り野を可能に。
・メサ様セルの中のドメイン情報の不揮発性の読み取り戦略は,大規模な横接続が隣接セルからの漏電流と壁内の可動性電荷蓄積の抑制を可能に。

シソーラス用語： *磁気メモリ ,  FeRAM ,  強誘電体 ,  磁壁 ,  分極 ,  ナノ構造 ,  テクノロジーアセスメント ,  実証実験

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 次世代 ,  強誘電体 ,  磁壁 ,  原理