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J-GLOBAL ID：201902260825811217   整理番号：19A0511937

サブミクロンサイズ橋におけるMgB_2超薄膜の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of MgB₂ Ultrathin Films in Submicron Size Bridges

著者 (3件)： Novoselov Evgenii (Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Goeteborg, Sweden) ,  Zhang Naichuan (Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Goeteborg, Sweden) ,  Cherednichenko Sergey (Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Goeteborg, Sweden)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.7500605.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgB_2超薄膜蒸着のための特注ハイブリッド物理化学蒸着システム,すなわち,構築,堆積プロセス開発,および最適化について議論する。SiC基板上に達成された膜は,35K(10nm厚膜)から41K(40nm厚膜)までの範囲の臨界温度(T_c)を有していた。20nm厚のパターン形成されていない膜は13μΩcmの室温抵抗率を有していたが,臨界電流密度J_c(4.2K)が1.2~8A/cm2までのサブミクロンサイズのブリッジでは50μΩcmになった。抵抗率の低い値は,T_cとJ_cの両方の高さに対応する。原子間力顕微鏡で測定した表面粗さは約1.5nmであった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  電気抵抗率 ,  臨界電流密度 ,  厚膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  *超薄膜 ,  臨界温度 ,  プロセス開発 ,  パターン形成 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： 薄膜蒸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (3件)： サブミクロンサイズ ,  超薄膜 ,  研究