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J-GLOBAL ID：201902260828245806   整理番号：19A1375155

GaN(0001)表面におけるステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

著者 (4件)： 秋山亨 (三重大 大学院) ,  相可拓巳 (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W541-17  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】III族窒化物のエピタキシャル成長では、ステップフロー成長において平坦な成長層が得られ窒素リッチ条件において六角形状のヒロックが形成することが知られている。分子線エピタキシャル成長(MBE)において、これら成長層のモルフォロジー...【本文一部表示】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *表面ステップ ,  *吸着 ,  *脱着 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  *MBE成長 ,  *半導体薄膜 ,  表面テラス ,  障壁 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： ES障壁 ,  ステップバンチング

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  吸着 ,  脱離 ,  挙動 ,  理論