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J-GLOBAL ID：201902260925991058   整理番号：19A2568922

光ポンプテラヘルツプローブ分光法を用いた半導体ナノワイヤにおける温度依存散乱機構の解明【JST・京大機械翻訳】

Unveiling Temperature-Dependent Scattering Mechanisms in Semiconductor Nanowires Using Optical-Pump Terahertz-Probe Spectroscopy

著者 (8件)： Boland Jessica L (School of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester, Photon Science Institute, Manchester, M13 9PL) ,  Amaduzzi Francesca (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Sterzl Sabrina (Department of Physics, University of Oxford, Oxford, OX1 3PU, United Kingdom) ,  Potts Heidi (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Tutuncuoglu Gozde (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Herz Laura M (Department of Physics, University of Oxford, Oxford, OX1 3PU, United Kingdom) ,  Morral Anna Fontcuberta I (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Johnston Michael B (Department of Physics, University of Oxford, Oxford, OX1 3PU, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IRMMW-THz  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ポンプテラヘルツプローブ(OPTP)分光法は,材料内の電気伝導率を抽出するための強力な非接触ツールである。本研究では,これらの材料におけるキャリア輸送を支配する基礎となる散乱機構を明らかにするために,OPTP分光法を用いて半導体ナノワイヤ(NW)内の温度依存電子移動度と光伝導寿命を抽出する方法を示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  *温度依存性 ,  光伝導
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  キャリア輸送 ,  非接触 ,  *散乱メカニズム ,  *半導体ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分光法 ,  半導体ナノワイヤ ,  温度依存 ,  散乱