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J-GLOBAL ID：201902261031497917   整理番号：19A0998419

チオール修飾多面体オリゴマシルセスキオキサン(POSS)および純水フラックス分析によるデヒドロフッ素化PVDF膜の架橋【JST・京大機械翻訳】

Cross-linking of dehydrofluorinated PVDF membranes with thiol modified polyhedral oligomeric silsesquioxane (POSS) and pure water flux analysis

著者 (2件)： Sierke Jonathan (Department of Chemical Engineering, The University of Melbourne, VIC, 3010, Australia) ,  Ellis Amanda V. (Department of Chemical Engineering, The University of Melbourne, VIC, 3010, Australia)
資料名： Journal of Membrane Science  (Journal of Membrane Science)
巻： 581  ページ： 362-372  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0669A  ISSN： 0376-7388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質ポリ(フッ化ビニリデン)(PVDF)膜はしばしば圧力駆動水処理で圧密を受け,水フラックスの減少に寄与する。ここでは,UV触媒チオール-エン添加により,0~10wt%の合成チオール修飾多面体オリゴマシルセスキオキサン(チオールPOSS)を用いて,脱水素化PVDF(PVDF官能基を有するPVDF)を架橋することにより,圧密抵抗を試験した。これらの精密ろ過膜の分析は,36.60±1.85MPa(0wt%チオールPOSS)から54.60±1.97MPa(10wt%チオールPOSS)へのYoung率の増加を示し,改善された機械的性質と相関した。膜の純水フラックス(PWF)は1wt%チオールPOSS負荷と共に増加し,10wt%までのチオールPOSS負荷の増加と共に減少したが,BSA排除はチオールPOSSの1wt%負荷で減少し,その後チオールPOSS負荷と共に増加した。10wt%のチオールPOSSを有する架橋PVDF膜は最大の圧密抵抗を有し,最低純水フラックスは8.3±2.04%(第一パス,ラン1)及び6.3±2.37%(第二パス,ラン1)及び12.8±1.74(第二パス,ラン2)であった。データは,チオール-エン添加によるPOSSとの化学的架橋PVDFがPVDF水濾過膜の圧密を減少させる実際の可能性を有することを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *チオール ,  ポリフッ化ビニリデン ,  水処理 ,  圧密 ,  Young率 ,  締固め ,  機械的性質 ,  触媒 ,  脱水素
準シソーラス用語： 化学架橋 ,  精密濾過膜 ,  官能基 ,  圧力駆動 ,  *PVDF膜 ,  *水フラックス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ポリ(ビニリデンジフルオリド) ,  締固め ,  水フラックス ,  架橋 ,  多面体オリゴマシルセスキオキサン

分類 (1件)： 膜分離  (XD02120Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： チオール ,  修飾 ,  多面体オリゴマシルセスキオキサン ,  POSS ,  水フラックス ,  分析 ,  PVDF膜 ,  架橋