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J-GLOBAL ID：201902261039918662   整理番号：19A1558572

Si導波路上の50Gb/s CVDグラフェン-絶縁体-グラフェン電気吸収変調器【JST・京大機械翻訳】

50Gb/S CVD Graphene-Insulator-Graphene Electro-Absorption Modulator on Si Waveguide

著者 (7件)： Sorianello V. (Photonic Networks and Technologies Lab - CNIT, Via G. Moruzzi 1, Pisa, 56124, (Italy)) ,  Marconi S. (Tecip Institute - Scuola Superiore Sant’Anna, Via G. Moruzzi 1, Pisa, 56124, (Italy)) ,  Giambra M. A. (Photonic Networks and Technologies Lab - CNIT, Via G. Moruzzi 1, Pisa, 56124, (Italy)) ,  Miseikis V. (Istituto Italiano di Tecnologia, Graphene Labs, Via Morego 30, Genova, 16163, (Italy)) ,  Montanaro A. (Photonic Networks and Technologies Lab - CNIT, Via G. Moruzzi 1, Pisa, 56124, (Italy)) ,  Coletti C. (Istituto Italiano di Tecnologia, Center for Nanotechnology Innovation @NEST, Piazza San Silvestro 12, Pisa, I-56127, (Italy)) ,  Romagnoli M. (Photonic Networks and Technologies Lab - CNIT, Via G. Moruzzi 1, Pisa, 56124, (Italy))
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CLEO  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siフォトニック導波路上に集積したCVD成長グラフェン-絶縁体-グラフェン電気吸収変調器を用いて,50Gb/sでのゼロ光変調への非復帰を実証した。素子は30GHzの3dBの電気光学帯域幅を示した。(C)2019。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *絶縁体 ,  光変調 ,  *導波路 ,  *グラフェン ,  帯域幅 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： *EA変調器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： アンテナ  (ND06000M) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  導波路 ,  CVD ,  グラフェン ,  絶縁体 ,  電気吸収変調器