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J-GLOBAL ID：201902261227823612   整理番号：19A2920842

0.18μm CMOS技術による高帯域伝送極を持つDGS共振器を用いた-192.7-DBC/Hz FOM K_u-バンドVCO【JST・京大機械翻訳】

A -192.7-dBc/Hz FoM $K_{U}$ -Band VCO Using a DGS Resonator With a High-Band Transmission Pole in 0.18- $¥mu$ m CMOS Technology

著者 (3件)： Jahan Nusrat (Department of Electrical and Electronic Engineering, Chittagong University of Engineering and Technology (CUET), Chittagong, Bangladesh) ,  Barakat Adel (Faculty of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Pokharel Ramesh K. (Faculty of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 29  号： 12  ページ： 814-817  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高帯域伝送極を有する欠陥接地構造(DGS)共振器を用いることにより,電圧制御発振器(VCO)の位相雑音(PN)の改善を示した。提案したDGS共振器は共平面ストリップトポロジーに二つのループを持つ。外部ループは直列容量により負荷され,高帯域伝送極を生成する。全体の組合せは,VCO動作のために必要な並列共振を発生させるために並列コンデンサを持っている。この提案したDGS共振器は,鋭いインピーダンスと周波数応答勾配を有し,改善された品質因子をもたらす。リターンにおいて,このDGS共振器をK_UバンドVCOに利用することにより,そのPNを低減した。0.18μm CMOSにおけるプロトタイプVCOは15.52GHzで発振し,1および10MHzオフセットでそれぞれ-111.27および-134.07dBc/HzのPNを示し,一方,3.3mWパワーを消費した。VCOは9.5%の周波数同調範囲を持ち,それは-192.7dBの性能指数(FoM)をもたらす。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 周波数応答 ,  インピーダンス ,  プロトタイプ ,  並列共振 ,  *共振器 ,  位相雑音 ,  性能指数 ,  *CMOS ,  VCO【発振器】 ,  接地 ,  コンデンサ
準シソーラス用語： 周波数同調 ,  品質因子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： CMOS技術 ,  高帯域 ,  極 ,  共振器 ,  FOM ,  バンド ,  VCO