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J-GLOBAL ID：201902261270408972   整理番号：19A1800614

HTFSIを用いたNa-Ga合金からのGaの分離

著者 (4件)： 鈴木樹生 (北大 大学院) ,  熊谷剛彦 (北大 大学院) ,  松島永佳 (北大 大学院) ,  上田幹人 (北大 大学院)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集(CD-ROM)
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.1G13  発行年： 2019年03月13日 
JST資料番号： Y0048B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.目的 近年、バンドギャップエネルギーの大きなワイドギャップ半導体に注目が集まっている。その中でも、大きなバンドギャップエネルギーと高い絶縁破壊電圧を有するGaNは今後の需要が期待されている。このGaNの作製方法はHVPE法やAmmono...【本文一部表示】

シソーラス用語： ガリウム合金 ,  ナトリウム含有合金 ,  金属間化合物 ,  分離 ,  *有用物質回収 ,  *イオン液体 ,  ICP-AES分析 ,  熱処理 ,  化学平衡 ,  溶解 ,  *ガリウム ,  *スルホンアミド ,  カソード還元

分類 (3件)： 資源回収利用  (SC05060V) ,  脂肪族スルホン酸・スルフィン酸・スルフェン酸  (CF03160J) ,  電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (1件)： ビス[(トリフルオロメチル)スルホニル]アミン

タイトルに関連する用語 (3件)： Na ,  Ga合金 ,  Ga