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J-GLOBAL ID:201902261497762740   整理番号:19A0183197

原子的に薄い二次元半導体における励起子動力学,輸送および消滅【JST・京大機械翻訳】

Exciton Dynamics, Transport, and Annihilation in Atomically Thin Two-Dimensional Semiconductors
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 14  ページ: 3371-3379  発行年: 2017年 
JST資料番号: W3687A  ISSN: 1948-7185  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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大きな結合エネルギーとユニークな励起子微細構造は,遷移金属ジカルコゲニド(TMDC)を二次元(2D)系における励起子挙動を研究するための理想的なプラットフォームにする。これらの系における励起子は広く研究されているが,動力学を制御する機構に関するコンセンサスは現在不足している。本論文では,2D TMDCにおける励起子動力学,輸送および消滅における外因性および固有の因子について議論する。本質的に,暗いおよび明るい励起子エネルギー分裂は,動力学の変調において重要な役割を果たしている可能性がある。外部的には,欠陥散乱は単層TMDCsにおいて一般的であり,急速なピコ秒減衰をもたらし,励起子輸送を制限する。単層TMDCにおける励起子-励起子消滅過程は非常に効率的であり,高励起子密度領域における無放射再結合速度において重要な役割を果たしている。励起子動力学を制御するための将来の課題と機会を論じた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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励起子  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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